LED 外延片工艺流程如下:
衬底 - 结构设计- 缓冲层生长- N型GaN 层生长- 多量i子阱发光层生- P 型GaN 层生长- 退火- 检测(光荧光、X 射线) - 外延片;
外延片- 设计、加工掩模版- 光刻- 离子刻蚀- N 型电极(镀膜、退火、刻蚀) - P 型电极(镀膜、退火、刻蚀) - 划片- 芯片分检、分级
具体介绍如下:
固定:将单晶硅棒固定在加工台上。
切片:将单晶硅棒切成具有精i确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋,产生废水和硅渣。
退火:双工位热氧化炉经氮气吹扫后,用红外加热至300~500℃,硅片表面和氧气发生反应,使硅片表面形成二氧化硅保护层。
倒角:将退火的硅片进行修整成圆弧形,防止硅片边缘破i裂及晶格缺陷产生,增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋,产生废水和硅渣。
分档检测:为保证硅片的规格和质量,对其进行检测。此处会产生废品。
研磨:用磨片i剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层,有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度,达到一个抛光过程可以处理的规格。此过程产生废磨片i剂。
清洗:通过有机i溶剂的溶解作用,结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质。此工序产生有机废气和废有机i溶剂。
RCA清洗:通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。
在LED芯片制作过程中,把一些有缺陷的或者电极有磨损的芯片,分捡出来,这些就是后面的散晶,此时在蓝膜上有一些不符合正常出货要求的晶片,也就自然成了边片。
刚才谈到在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试,对于不符合相关要求的晶圆片作另外处理,这些晶圆片是不能直接用来做LED方片,也就不做任何分检了,直接卖给客户了,也就是目前市场上的LED大圆片(但是大圆片里也有好东西,如方片)。
LED制作流程分为两大部分。
首先在衬低上制作氮化家(GaN)基的外延片,这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延炉中完成的。
准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后,按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。
常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底,还有GaAs、AlN、ZnO等材料。
MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应,将所需的产物沉积在衬底表面。
通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例,从而控制镀膜成分、晶相等品质。
MOCVD外延炉是制作LED外延片蕞常用的设备。
Led模组的产品特性:
特性1:高能效 高流明输出,极低光衰。
特性2:紫外线及红外线辐射几乎为零。
特性3:防尘防雨,防护等级达到IP66。
特性4:大视角发光,满足不同视距及正视和侧视时发光强度,需一致的视觉要求。
LED模组应用范围
外发光标识 、立体字,笔划繁复的面板发光字 、灯箱等。
希望以上的讲解,对您有所帮助,感谢您的支持。
LED的芯片数量常识:
同一个LED灯,常见的是只采用一个芯片,但物殊情况下可以用两个甚至达到四个芯片,如:一个草帽灯可以用一至两个芯片(考虑到其体积较小,散热不方便导致性能不稳定,一般只采用一两个芯片);一个食人鱼灯可以用一,二,三,四个芯片,我司到的是一个和两个芯片;贴片3528灯可以用一,二,三个芯片(我司常用一,二个芯片),贴片5050/5060一般用到三个芯片。特别说明:贴片灯用三个芯片时,有两种情形:
1. 三个芯片的颜色完全相同
2. 三个芯片分别是红,绿,蓝色,即我们常说的RGB灯
LED的发光角度常识:
直插式LED常见的发光角度是120度,特殊的可以做到45度,或者15度。我司常用的直插式LED一般是120度,硅胶灯条采用的是45度;贴片式LED一般发光角度为120度。
LED的电压 (voltage) 常识:
单个小功率LED灯,颜色不同,其要求的电压也不同。红/黄:一般为1.8~2.1伏,白/绿/蓝:一般为3.0~3.6伏。1W大功率灯要求的电压与以上相同。
LED的电流 (current) 常识:
1. 小功率的LED灯(包括插件式或者贴片式),每个芯片上允许通过的电流一般不要高于20毫安;每个双芯片灯上允许通过的电流一般不高于40毫安;同理每个三芯片灯不要高于60毫安。。。。
2. 大功率LED,我司已采用的是1W,其允许通过的电流为150毫安。
以上信息由专业从事uv led模组价格的杰生半导体于2024/4/16 10:57:26发布
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