深圳 - 商盟推荐
您好,欢迎访问!
首页 > 仪器/仪表 > 资讯正文

关于“大功率IGBT测试仪加工”的相关推荐正文

大功率IGBT测试仪加工多重优惠「华科智源」

来源:华科智源 更新时间:2021-05-05 03:34:35

以下是大功率IGBT测试仪加工多重优惠「华科智源」的详细介绍内容:

大功率IGBT测试仪加工多重优惠「华科智源」 [华科智源)15a75b6]"内容:

华科智源IGBT测试仪制造标准华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外,在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件第9 部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)GB 13869-2008 用电安全导则GB19517-2004 国家电器设备安全技术规范GB 4208-2008 外壳防护等级(IP 代码)(IEC 60529:2001,IDT)GB/T 191-2008 包装储运图示标志GB/T 15139-1994 电工设备结构总技术条件GB/T 2423 电工电子产品环境试验GB/T 3797-2005 电气控制设备GB/T 4588.3-2002 印制板的设计和使用GB/T 9969-2008 工业产品使用说明书总则GB/T 6988-2008 电气技术用文件的编制GB/T 3859.3 半导体变流器变压器和电抗器GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路第2 部分:整流二极管

3、技术指标* 3.1 机台可测试器件类型 二极管、MOSFET、IGBT单管及模组* 3.2 机台可测IGBT项目及测试范围 VGE(th)栅极阈值电压VCES集射极截止电压ICES集射极截止电流VCE(sat)饱和导通压降Iges栅极漏电流VF二极管导通电压可以测5000V,1600A以下的IGBT模块* 3.3 机台可测MOS项目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs 3.4 测试项目 测量范围 测试条件与精度* 3.5 VGE(th)栅极阈值电压 0.1~10V VGE:0.1~10V±1%±0.01V;解析度:0.01V集电极电流Ic:10~50mA±1%±0.5mA;50~200mA±1%±1mA;200~1000mA±1%±2mA;

测试参数多且完整、应用领域更广泛,但只要使用其基本的2项功能:「开启」电流压降,「关闭」电流的漏电流,就可知道大功半导体有没有老化的现象。

?可移动型仪器,使用方便,测试简单快速,立即提供测试结果与数值。

?适用的半导体元件种类多,尤其能测大功率元件。

?用户能确实掌握新采购元件的质量,避免用到瑕疵或品。

?完全由计算机控制、快速的设定参数。

?适用于实验室和老化筛选的测试。

?操作非常简单、速度快。

?完全计算机自动判断、自动比对。

3、系统基本参数

3.1 电 压 源:220VAC ±10% ,50Hz/60Hz 20A RMS;

3.2 加热功能:室温~150℃;

3.3 测试功能:可测试IGBT模块及FRD;

3.4 环境温度:25℃±15℃;

3.5 环境湿度:50% ±20% (相对湿度)

4、动态测试基本配置

4.1 集电级电压 Vcc: 50 ~ 1000V;

4.2 集电极电流 Ic: 50 ~ 1000A 感性负载;

4.3 电流持续时间 It: 10 ~ 1000 us 单个脉冲或双脉冲的总时间; 4.4 脉 冲 模 式: 单脉冲和双脉冲;

4.5 单电流脉冲的设置: Vcc,Ic, 电感值(自动计算脉宽);

4.6 双电流脉冲的设置: Vcc, Ic, 电感值,间隙时间(10到50us)(脉宽自动计算);

(开启Qrr测试:第二个脉宽=间隙时间,10~50us);

4.7 设备寄生电感 Lint:

以上信息由专业从事大功率IGBT测试仪加工的华科智源于2021/5/5 3:34:35发布

转载请注明来源:http://shenzhen.mf1288.com/hkzy2020-1405350394.html

上一条:深圳塑胶色母粒定制厂家信赖推荐「兴宏隆」

下一条:深圳8米龙门铣床厂欢迎来电 深圳发那数控

文章为作者独立观点,不代表如意分类信息网立场。转载此文章须经作者同意,并附上出处及文章链接。

推荐信息

深圳市华科智源科技有限公司
主营:IGBT测试仪,功率器件测试仪,首件检测仪

本页面所展示的信息由企业自行提供,内容的真实性、准确性和合法性由发布企业负责如意分类信息网对此不承担直接责任及连带责任。

本网部分内容转载自其他媒体,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性。不承担此类 作品侵权行为的直接责任及连带责任。