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封装用IGBT测试仪批发免费咨询「华科智源」

来源:华科智源 更新时间:2021-05-03 16:06:29

以下是封装用IGBT测试仪批发免费咨询「华科智源」的详细介绍内容:

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测试的IGBT参数包括:ICES(漏流)、BVCES(耐压)、IGESF(正向门极漏流)、IGESR(反向门极漏流)、VGETH(门槛电压/阈值)、VGEON(通态门极电压)、VCESAT(饱和压降)、ICON(通态集极漏流)、VF(二极管压降)、GFS(跨导)、rCE(导通电阻)等全直流参数, 所有小电流指标保证1%重复测试精度, 大电流指标保证2%以内重复测试精度。以下参数的测试可以在不同的电压等级、电流等级、温度、机械压力、回路寄生电感以及不同的驱动回路参数下进行。

半导体元件全自动测试系统,可以元件在真正工作状态下的电流及电压,并测量重要参数的数据,再与原出厂指标比较,由此来判定元件的好坏或退化的百分比。每个电流模块,都具有独立的供电系统,以便在测试时,提供内部电路及电池组充电之用;9A±3%±50mA10A~50A±3%±1A3、EA:10mJ~20J10mJ~1000mJ±3%±1mJ1J~20J±3%±10mJ4、脉冲宽度:40—1000uS可设定5、测试频率:单次2。 可选购外部高压模块,执行关闭状态参数测试如:各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。

1)可调充电电压源

用来给电容器充电,实现连续可调的直流母线电压,满足动态测试、短路电流的测试需求。

?输入电压 380V±10%

?频率 50HZ;

?输出电压 500~1500V可调(可多个电源组成)

?输出电流 10A;

?电压控制精度 1%

?电压调整率

?纹波电压

?工作温度 室温~40℃;

?保护 有过压、过流、短路保护功能。

2.3栅极电荷技术条件测试参数:栅极电荷Qg:20nC~100uC 20nC~100nC±5%,分辨率±1nC 100nC~500nC±5%,分辨率±5nC 500nC~2uC±5%,分辨率±10nC 2uC~10uC±5%,分辨率±50nC 10uC~100uC±5%,分辨率±100nC测试条件:1、栅极驱动电压:-15V~+15V±3%,分辨率±0.1V2、集电极电流:50~100A±3%±1A; 100~500A±3%±2A;500~1000A±3%±5A;3、集电极电压:50~100V±3%±1V100~500V±3%±5V500V~1000V±3%±10V4、栅极驱动电流:满足5A以下测试要求

2.7测试夹具1、控制方式:气动控制2、控温范围:室温—150℃ 室温—125℃±1.0℃±3% 125—150℃±1.5℃±3%3、电源:交流50HZ,220V,功率不大于1000W4、夹具能安装不同规格的适配器,以测试不同规格的器件,不同模块需要配备不同的适配器,设备出厂时配备62mm封装测试夹具、EconoPACK3封装测试夹具、34mm封装测试夹具各一套,但需甲方提供适配器对应器件的外形图;优势行业:电力设备、地铁、铁路动力车组和运用大功率半导体器件进行设计、制造的行业。2.8环境要求环境温度:15~35℃相对湿度:小于70%大气压力:86Kpa~ 106Kpa压缩空气:不小于0.4MPa电网电压:AC220V±10%无严重谐波,三线制电网频率:50Hz±1Hz

以上信息由专业从事封装用IGBT测试仪批发的华科智源于2021/5/3 16:06:29发布

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深圳市华科智源科技有限公司
主营:IGBT测试仪,功率器件测试仪,首件检测仪

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