(2)主要技术参数1)基本参数功率源: 5000V 1200A2)栅极-发射极漏电流IGESIGES: 0.1-10uA±2%±0.01uA集电极电压VCE: 0V栅极电压Vge: 0-40V±3%±0.1V3)集电极-发射极电压集电极电压VCES: 100-5000V±2%±10V集电极电流ICES: 0.1-5mA±3%±0.01mA栅极电压Vge: 0V4)集电极-发射极饱和电压VCESatVCESat:0.2-5V栅极电压Vge: ±15V±2%±0.2V集电极电流ICE: 10-1200A±2%±1A5)集电极-发射极截止电流ICES集电极电压VCE: 100-5000V±3%集电极电流ICES: 0.1-5mA±3%±0.01mA栅极电压VGE: 0V6)栅极-发射极阈值电压VGEth: 1-10V±2%±0.1VVce: 12V集电极电流ICE: 30mA±3%7)二极管压降测试VF: 0-5V±2%±0.01VIF: 0-1200A±2%±1AVge: 0V
参数名称 符号 参数名称 符号
开通延迟时间 td(on) 关断延迟时间 td(off)
上升时间 tr 下降时间 tf
开通时间 ton 关断时间 toff
开通损耗 Eon 关断损耗 Eoff
栅极电荷 Qg
短路电流 ISC / /
可测量的FRD动态参数
参数名称 符号 参数名称 符号
反向恢复电流 IRM 反向恢复电荷 Qrr
反向恢复时间 trr 反向恢复损耗 Erec
9)尖峰抑制电容 用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。?电容容量 200μF?分布电感 小于10nH?脉冲电流 2kA ?工作温度 室温~40℃?工作湿度<70% 11)动态测试续流二极管用于防止测试过程中的过电压。?反向电压 8000V(2只串联)?-di/dt大于2000A/μs?通态电流 1200A?压降小于1V?浪涌电流大于20kA?反向恢复时间小于2μs?工作温度 室温~40℃?工作湿度<70%12)安全工作区测试续流二极管?反向电压 12kV(3只串联)?-di/dt 大于2000A/μS?通态电流 1200A?压降 小于1V?浪涌电流 大于20kA?反向恢复时间 小于2μS?工作温度 室温~40℃?工作湿度
IGBT静态参数测试部分主要材料技术要求1)阈值电压测试电路阈值电压测试电路(仅示出IEC标准测试电路)?满足表格9测试参数要求?低压开关电源要求:Vcc=12V (针对上图电路)?可调电源:0.1~10V±1%±0.01V;分辨率0.01V?集电极电流测试电路精度:10~50mA±1%±0.5mA;50~200mA±1%±1mA;200~1000mA±1%±2mA;1000~2000mA±1%±5mA;2)集射极截止电压/集射极截止电流测试电路集射极截止电压/发射极截止电流测试电路?高压充电电源:10~2kV连续可调?支撑电容:额定电压2kV?集电极电流ICES:0.01~1mA±3%±0.001mA;1~10mA±2%±0.01mA;10~30mA±1%±0.1mA;30~300mA±1%±0.1mA?集电极电压VCES:200~1500V±2%±1V
以上信息由专业从事便携式IGBT测试仪批发的华科智源于2021/5/2 16:02:42发布
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