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风力发电用IGBT测试仪价格可量尺定做,华科变频器用IGBT

来源:华科智源 更新时间:2021-05-02 02:18:28

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华科智源IGBT测试仪制造标准华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外,在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件第9 部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)GB 13869-2008 用电安全导则GB19517-2004 国家电器设备安全技术规范GB 4208-2008 外壳防护等级(IP 代码)(IEC 60529:2001,IDT)GB/T 191-2008 包装储运图示标志GB/T 15139-1994 电工设备结构总技术条件GB/T 2423 电工电子产品环境试验GB/T 3797-2005 电气控制设备GB/T 4588.3-2002 印制板的设计和使用GB/T 9969-2008 工业产品使用说明书总则GB/T 6988-2008 电气技术用文件的编制GB/T 3859.3 半导体变流器变压器和电抗器GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路第2 部分:整流二极管

IGBT半导体器件测试系统的主要应用领域概括如下:

?半导体元器件检测中心——应用本公司测试系统可扩大检测中心的检测范围、提高检测效率,提升检测水平,增加经济效益;

?半导体元器件生产厂 —— 应用本公司测试系统可对半导体元器件生产线的成品进行全参数的测试、筛选、分析,以确保出厂产品的合格率;

?电子电力产品生产、检修厂——应用本公司测试系统可对所应用到的半导体元器件,尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析,以确保出厂产品的稳定性、可靠性;

?航天、领域 ——— 应用本公司测试系统可对所应用到的元器件,尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析,以确保出厂产品的稳定性、可靠性;

3.6 VCES集射极截止电压 0~5000V 集电极电流ICES:0.01~1mA±3%±0.001mA;1~10mA±2%±0.01mA;10~50mA±1%±0.1mA;集电极电压VCES:0-5000V±1.5%±2V;* 3.7 ICES集射极截止电流 0.01~50mA 集电极电压VCES:50~500V±2%±1V;500~5000V±1.5%±2V;集电极电流ICES:0.001~1mA±3%±0.001mA;1~10mA±2%±0.01mA;10~150mA±1%±0.1mA;* 3.8 VCE(sat)饱和导通压降 0.001~10V集电极电流ICE:0-1600A 集电极电压VCEs:0.001~10V±0.5%±0.001V栅极电压Vge:5~40V±1%±0.01V集电极电流ICE:0~100A±1%±1A;100~1600A±2%±2A;* 3.9 Iges栅极漏电流 0.01~10μA 栅极漏电流IGEs:0.01~10μA±2%±0.005μA栅极电压Vge:±1V~40V±1%±0.1V;Vce=0V;* 3.10 VF正向特性测试 0.1~5V 二极管导通电压Vf:0.1~5V±1%±0.01V电流IF:0~100A±2%±1A;100~1600A±1.5%±2A;

以上信息由专业从事风力发电用IGBT测试仪价格的华科智源于2021/5/2 2:18:28发布

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