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轨道交通用IGBT测试仪厂家货真价实「在线咨询」

来源:华科智源 更新时间:2021-04-30 02:25:48

以下是轨道交通用IGBT测试仪厂家货真价实「在线咨询」的详细介绍内容:

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华科智源IGBT电参数测试仪,可用于多种封装形式的IGBT的测试,还可以测量大功率二极管、IGBT模块、大功率IGBT、大功率双极型晶体管等器件的VI特性测试,广泛应用于轨道交通,电动汽车,风力发电,焊机行业的IGBT来料选型和失效分析。测试过程简单,既可以在测试主机里设置参数直接测试,又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试。

深圳市华科智源科技有限公司,是一家从事功率半导体测试系统自主研发制造与综合测试分析服务的高新技术企业,坐落于改革开放之都-中国深圳,核心业务为半导体功率器件智能检测准备研制生产,公司产品主要涉及SMT首件检测仪,MOS管直流参数测试仪,MOS管动态参数测试仪,IGBT动态参数测试系统,IGBT静态参数测试仪,在线式检修用IGBT测试仪,变频器检修用IGBT测试仪,IGBT模块测试仪,轨道交通检修用IGBT测试仪,风力发电检修用IGBT测试仪。

(2)主要技术参数1)基本参数功率源: 5000V 1200A2)栅极-发射极漏电流IGESIGES: 0.1-10uA±2%±0.01uA集电极电压VCE: 0V栅极电压Vge: 0-40V±3%±0.1V3)集电极-发射极电压集电极电压VCES: 100-5000V±2%±10V集电极电流ICES: 0.1-5mA±3%±0.01mA栅极电压Vge: 0V4)集电极-发射极饱和电压VCESatVCESat:0.2-5V栅极电压Vge: ±15V±2%±0.2V集电极电流ICE: 10-1200A±2%±1A5)集电极-发射极截止电流ICES集电极电压VCE: 100-5000V±3%集电极电流ICES: 0.1-5mA±3%±0.01mA栅极电压VGE: 0V6)栅极-发射极阈值电压VGEth: 1-10V±2%±0.1VVce: 12V集电极电流ICE: 30mA±3%7)二极管压降测试VF: 0-5V±2%±0.01VIF: 0-1200A±2%±1AVge: 0V

欲测知元件老化,所须提供的测量范围为何?当大功率元件在作导通参数的测试时,电流必须大到其所能承受的正常工作值,同时,在作关闭参数的漏电流测试时,电压也必须够高,以元件在真正工作状态下的电流与电压,如此其老化的程度才可显现。当这两个参数通过后,便表示元件基本上良好,再进一步作其他参数的测量,以分辨其中的优劣。建议进行高温测试,模拟器件使用工况,更为准确的判断器件老化程度。

3.6 VCES集射极截止电压 0~5000V 集电极电流ICES:0.01~1mA±3%±0.001mA;1~10mA±2%±0.01mA;10~50mA±1%±0.1mA;集电极电压VCES:0-5000V±1.5%±2V;* 3.7 ICES集射极截止电流 0.01~50mA 集电极电压VCES:50~500V±2%±1V;500~5000V±1.5%±2V;集电极电流ICES:0.001~1mA±3%±0.001mA;1~10mA±2%±0.01mA;10~150mA±1%±0.1mA;* 3.8 VCE(sat)饱和导通压降 0.001~10V集电极电流ICE:0-1600A 集电极电压VCEs:0.001~10V±0.5%±0.001V栅极电压Vge:5~40V±1%±0.01V集电极电流ICE:0~100A±1%±1A;100~1600A±2%±2A;* 3.9 Iges栅极漏电流 0.01~10μA 栅极漏电流IGEs:0.01~10μA±2%±0.005μA栅极电压Vge:±1V~40V±1%±0.1V;Vce=0V;* 3.10 VF正向特性测试 0.1~5V 二极管导通电压Vf:0.1~5V±1%±0.01V电流IF:0~100A±2%±1A;100~1600A±1.5%±2A;

以上信息由专业从事轨道交通用IGBT测试仪厂家的华科智源于2021/4/30 2:25:48发布

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